[13p-PB6-1~20] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[13p-PB6-10] ゾル・ゲルディップ法によるZnCdO/ZnO多層膜構造の作製

〇安田 隆¹、佐々木 宗人¹、清野 大¹ (1.石専大理工)

キーワード：酸化物半導体、酸化亜鉛、ゾル・ゲル法

ゾル・ゲルディップ法で作製したZnCdO/ZnO多層膜構造をXRDおよびPLで評価し，その界面の安定性を議論した。簡便な塗布方法を用いて，12nm程度までの周期構造が作製できることを明らかにした。