[13p-PB6-1~20] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[13p-PB6-3] α-Al₂O₃基板上にミストCVD成長させたα-Ga₂O₃薄膜の表面緩和構造

〇尾坂 駿¹、丹波 大樹¹、高橋 一暉¹、織田 真也^2,3、金子 健太郎²、田畑 博史¹、久保 理¹、藤田 静雄²、片山 光浩¹ (1.阪大院工、2.京大院工、3.FLOSFIA(株))

キーワード：酸化ガリウム、同軸型直衝突イオン散乱分光法、表面構造