[13p-PB6-1~20] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[13p-PB6-4] 触媒反応生成高エネルギーH₂Oを用いたサファイア基板上へのZnO薄膜堆積におけるNO添加

石塚 侑己¹、田島 諒一¹、大橋 優樹¹、玉山 泰宏¹、〇安井 寛治¹ (1.長岡技科大)

キーワード：酸化亜鉛、触媒反応、化学気相堆積法

我々は触媒反応により生成した高エネルギーH₂Oビームを用いたCVD法を開発し、ZnO膜の成長実験を行い、これまでa面サファイア基板への成長膜で、低いキャリア濃度、高い電子移動度を示すn型ZnO膜の作製に成功している。本実験では膜中への窒素の取り込みを目指して、窒素原料として一酸化窒素(NO)を用いてZnO膜結晶の成長を試み、作製した試料の特性を調べたので報告する。