[14a-1B-1~11] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

△ [14a-1B-9] 紫外レーザープロセスを利用した ZnO ナノワイヤの無触媒成長におけるサファイア基板面方位への依存性

〇(DC)下垣 哲也¹、高橋 将大¹、東畠 三洋¹、中村 大輔¹、池上 浩¹、中田 芳樹²、岡田 龍雄¹ (1.九州大学、2.大阪大学)

キーワード：酸化亜鉛ナノワイヤ、パルスレーザー堆積法、レーザーパターニング

本研究室では紫外レーザープロセスを用いてZnOナノ結晶を作製する研究に取り組んでおり、本講演ではZnOナノワイヤの成長密度、成長様式のサファイア基板面方位への依存性に関する調査を行った結果について報告をする。サファイア基板の面方位はa面,c面,m面の三種類を用い、それらの上に堆積するZnOバッファ層の結晶面方位に関する調査結果、さらにZnOバッファ層上に成長するZnOナノワイヤの成長密度の相異について議論を行う。