[14a-2B-1~10] 13.9 光物性・発光デバイス

△ [14a-2B-1] VGF法成長によるSiドープGaAsバルクのスピン緩和の観測

〇大木 俊介¹、浅川 将輝¹、石川 友樹¹、竹内 淳¹ (1.早大先進理工)

キーワード：スピン緩和、SiドープGaAs、ポンププローブ法

本研究では、VGF法によるSiドープGaAsのスピン緩和過程を時間分解ポンププローブ法によって調べた。その結果、10 Kでのスピン緩和時間は246 psであり、10 Kから150 Kではスピン緩和時間の負の温度依存性が観測された。これは我々が以前報告したVGF法成長によるノンドープGaAsの結果とは異なるため、今後のスピン緩和機構の解明に貢献し得るという点で重要な意味を持つと考えられる。