[14a-2B-1~10] 13.9 光物性・発光デバイス

[14a-2B-6] RF-MBE法によるGaAs(100)基板上へのユーロピウム添加立方晶GaN薄膜の作製(2)

〇弓達 新治¹、小山 裕生¹、宮田 晃¹、白方 祥¹ (1.愛媛大工)

キーワード：立方晶GaN、希土類添加

RF-MBE法によるGaAs(100)基板上へのEu添加立方晶GaN薄膜(c-GaN:Eu)の作製を行った。X線回折測定より立方晶GaNの成長が確認され、RHEED観察により立方晶GaNのスポットパターンが得られた。PL測定より、Eu³⁺の発光が見られた。ただし母体からの発光も見られた。PL強度増加を目的にc-GaN:Euの結晶性改善を試みた。RHEED観察においてストリークパターンが得られた。