[14a-2T-1~12] 17.1 成長技術

[14a-2T-10] SiC表面熱分解時のC₂H₄添加によるグラフェン/SiC界面新構造の形成

〇梶原 隆司¹、林 真吾¹、Visikovskiy Anton¹、飯盛 拓嗣²、小森 文夫²、田中 悟¹ (1.九大院工、2.東大物性研)

キーワード：グラフェン、SiC、界面構造

C₂H₄を微量添加したArガス雰囲気を用いてグラフェン成長を行い、比較的低温(1400℃程度)において超高温熱分解と同様のバッファ層(6√3構造)を形成することを確認した。さらに成長を続けると、超高温熱分解とは異なりバッファ層/グラフェン界面へのインターカレーションが生じ、(3x3)構造を有する新たな界面構造が形成することを確認したので報告する。