[14a-2T-1~12] 17.1 Growth technology

[14a-2T-12] Van der Waals epitaxy growth of 3D topological insulator BiSbTeSe₂ thin film

〇(M2)YOSUKE SATAKE¹, YOICHI TANABE¹, Tu Ngoc Han¹, KATSUMI TANIGAKI^1,2 (1.Tohoku Univ., 2.Tohoku Univ. WPI)

Keywords:topological insulator,Van der Waals epitaxy

3次元トポロジカル絶縁体は、その表面にスピンヘリカルなディラックコーン電子状態が存在する新奇物質である。表面状態を有効に活用する上で、バルク電子状態の電子輸送特性への寄与を低減させることが課題となる。そのため、バルク絶縁性の高い薄膜の作製が重要となる。本公演では、気相輸送法を用いたバルク絶縁性の高い3次元トポロジカル絶縁体BiSbTeSe₂(BSTS)大型薄膜の合成と電子輸送特性について報告する。