[14a-2T-1~12] 17.1 成長技術

△ [14a-2T-9] SiC(0001)ステップ＆テラス構造におけるグラフェンのレーザー誘起成長過程観察

〇(M2)服部 正和¹、池上 浩¹、中村 大輔¹、岡田 龍雄¹、古川 一暁²、高村 真琴²、日比野 浩樹² (1.九大、2.NTT物性基礎研)

キーワード：グラフェン、レーザープロセシング、SiC