[14a-2U-1~12] 17.1 成長技術

[14a-2U-4] 分子動力学法による欠陥のない単層カーボンナノチューブ成長シミュレーション

〇吉川 亮¹、高木 勇海¹、千足 昇平¹、丸山 茂夫^1,2 (1.東京大工、2.産総研)

キーワード：単層カーボンナノチューブ、分子動力学法

単層カーボンナノチューブ(SWCNT)の成長機構解明のため分子動力学法(MD法)シミュレーションが有効だが，これまでMD法で成長が再現されたSWCNTは欠陥構造のためカイラリティを判定できず成長機構の議論が困難であった．本研究では条件を調整した結果無欠陥側壁を持つSWCNTの成長再現に成功し，そのカイラリティは(14, 1)などと判定された．また触媒と接触したSWCNT末端に存在するkinkがzigzag型界面を沿って進むことでSWCNT側壁が成長することが観察された．