[14a-2W-1~11] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[14a-2W-9] InGaAsN/GaAsSbタイプII量子井戸ﾀﾞｲｵｰﾄﾞのアニール効果

〇河村 裕一¹、宍戸 郁哉¹ (1.阪府大工)

キーワード：化合物半導体、分子線結晶成長法

InP基板に格子整合するInGaAs/GaAsSbタイプII量子井戸ダイオードは波長2μm帯の発光・受光デバイスへの応用が可能である。我々はInGaAs層にＮを導入することにより、さらなる長波長化が可能であることをエレクトロルミネッセンス（EL）で示した。今回、ﾀﾞｲｵｰﾄﾞにアニール処理をほどこすことにより、発光波長が3μｍ帯まで長波長化することを観測したのでで報告する。