[14a-PB6-1~7] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[14a-PB6-5] Au(111)表面上におけるGeのSTM観察

〇若林 陽介¹、橋口 浩平¹、神子 公男²、弓野 健太郎^1,3 (1.芝浦工大、2.東大生研、3.SIT グリーンイノベーション研究センター)

キーワード：結晶成長、半導体、薄膜

金属を用いた半導体の結晶化の挙動に関する知見を得るために、Au(111)薄膜上にGeを蒸着し、その挙動をSTMで観察した。すると、平坦で六角形の形をした島が多数見られた。これらの島は比較的短時間で消滅した。通常、Au(111)表面において短時間でのステップの変形や消滅は起きないため、これらの島の流動性は高いことが示唆される。