2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

[14p-1C-1~16] 13.4 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

2015年9月14日(月) 13:15 〜 17:30 1C (135)

座長:中村 友二(富士通研),筑根 敦弘(大陽日酸)

16:45 〜 17:00

[14p-1C-14] CVD装置内熱挙動のランガサイト結晶振動子によるその場測定

〇宮崎 賢都1、齋藤 あゆ美1、松井 美沙子1、羽深 等1 (1.横国大院工)

キーワード:その場測定、ランガサイト結晶振動子、熱環境

化学気相堆積(CVD)法の詳細をその場で測定するためにランガサイト結晶振動子を用いたところ、成膜による重量増加、雰囲気流体と振動数の関係などが把握された。次に、反応時の経時温度変化を把握することにより、CVD装置内の環境の変化を詳しく捉えられることが期待される。本研究では、反応時の経時温度変化の影響を把握するために、装置内の比熱と反応熱が成膜速度に与える影響を把握する手法の開発を目的とした。