[14p-1C-1~16] 13.4 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

[14p-1C-16] SiHCl₃-SiH_x系におけるシリコン薄膜高速形成プロセス開発

〇齋藤 あゆ美¹、桜井 あゆみ¹、羽深 等¹ (1.横浜国大院工)

キーワード：シリコンエピ、成長速度、反応機構

Siエピタキシャル成長の速度を増大させるためには、表面反応機構に基づく成長速度の飽和を越える方法が必要である。そこで本研究では、成膜用ガスとSiH_xガスを混合させることにより成膜速度が増大することを提案し、実験により検証する。特に表面反応に関する詳細を述べる。