[14p-1E-1~17] 12.1 作製・構造制御

△ [14p-1E-5] 溶媒蒸気処理によるフタロシアニン誘導体の単結晶薄膜成長

〇(DC)東 卓也¹、大森 雅志¹、吉田 浩之¹、藤井 彰彦¹、尾崎 雅則¹ (1.阪大院工)

キーワード：有機半導体、フタロシアニン、ウエットプロセス

フタロシアニン誘導体1,4,8,11,15,18,22,25-octahexylphthalocyanine (C6PcH₂)は、液晶性、可溶性、また1 cm²V^-1s^-1 に達する両極性のキャリア移動度を示す。従来の溶液プロセスを用いて作製したC6PcH₂薄膜は細かいドメインから成る多結晶状態となっており、多くの粒界が薄膜中のキャリア移動度を律速する一因となっている。そこで製膜手法の改良によるドメイン拡大や分子配向制御が報告されているが、単結晶薄膜の作製には至っていない。本研究では、C6PcH₂の薄膜に溶媒蒸気処理を行った際の結晶構造への影響を調べ、単結晶薄膜の作製について検討を行った。