[14p-2A-1~17] 12.3 機能材料・萌芽的デバイス

[14p-2A-4] ハロゲン化スズペロブスカイトの電子特性における混晶効果

〇長谷川 裕之^1,3、小林 佳介²、高橋 幸裕^1,2、原田 潤^1,2、稲辺 保^1,2,3 (1.北大院理、2.北大院総化、3.JST-CREST)

キーワード：ペロブスカイト、有機・無機ハイブリッド半導体

本研究では，臭化スズ系有機・無機複合ペロブスカイト化合物をベースに，化学的ドーピングによる電子構造，電子特性への効果を調べた。バンドギャップは臭化スズの臭素のヨウ素への置換で連続的に減少した。また，スズ(IV) のドーピング効果を調べるため電気伝導度温度依存性測定を行い，活性化エネルギーを求めた。アクセプタ準位をヨウ化スズ系と同程度と仮定するとこの値はバンド構造計算と矛盾なく説明できる。