[14p-2T-1~14] 17.1 成長技術

[14p-2T-12] 基板加熱がグラフェンのCVD成長に与える影響のin-situ観察

〇寺澤 知潮^1,2、平良 隆信²、斉木 幸一朗² (1.筑波大数理、2.東大院新領域)

キーワード：グラフェン、化学気相成長法、その場観察

大面積かつ高品質な単層グラフェンの作製を目指してCu基板上での化学気相成長法(CVD)が広く研究されている．グラフェン成長前にCu基板を加熱すると，その時間や雰囲気に応じて表面状態が変化し，グラフェン成長に影響すると考えられている．本研究では同一の基板で(1)加熱，(2)グラフェンの成長，(3)除去を繰り返し，加熱時間がCVDグラフェンの核密度に与える影響を輻射光光学顕微法によりin-situで評価した．その結果，多結晶のCu箔のある粒界を境にグラフェンの形状がおおよそ四回対称と六回対称に異なった試料について，計12時間の加熱を行うと，四回対称のグラフェンが六回対称のグラフェンより早く核密度が減少することがわかった．