2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

17 ナノカーボン » 17.1 成長技術

[14p-2T-1~14] 17.1 成長技術

2015年9月14日(月) 13:45 〜 17:30 2T (232)

座長:藤井 健志(富士電機),前橋 兼三(農工大)

17:00 〜 17:15

[14p-2T-13] その場SEMによる銅-インジウム合金上グラフェンの成長観察

〇星 雄大1、高橋 惇郎1、加藤 大樹1、本間 芳和1 (1.東理大理)

キーワード:グラフェン、その場、走査電子顕微鏡

これまでグラフェンの化学気相成長の研究が多数報告されてきた。しかし、その成長メカニズムは未解明な点が多い。その解明のためには成長過程を観察することが有効である。今回は広い視野をもっていて、十分にグラフェンの成長過程を追うことができる走査電子顕微鏡(SEM)のチャンバー内で試料を通電加熱させながら炭素源ガスを流すことで、大気にさらさずに連続してグラフェンの成長過程を観察すること(その場SEM)に成功した。