[14p-2T-1~14] 17.1 成長技術

△ [14p-2T-6] 触媒中での炭素拡散を用いた絶縁基板上へのグラフェン直接合成

〇大林 克未¹、竹井 邦晴¹、秋田 成司¹、有江 隆之¹ (1.大阪府大院工)

キーワード：グラフェン、ニッケル、直接合成

大面積で高品質なグラフェンの合成方法として、現在化学気相成長法が主流であるが、金属触媒上に合成されたグラフェンを絶縁基板上に転写する際にしわややぶれが生成し、良好な特性が失われる可能性がある。そこで近年、目的の基板上に直接的にグラフェンを得る研究が様々な方法で行われている。本研究では炭素の触媒中での拡散に着目し、SiO2基板上に高品質なグラフェンをより均一に合成する可能性を見出したので報告する。