[14p-2W-11~16] 15.7 エピタキシーの基礎

[14p-2W-12] InGaAs表面再構成分布と量子ドット規則化生成の数理解析

〇小西 智也¹、ベル ギャビン²、塚本 史郎¹ (1.阿南高専、2.ウォーリック大)

キーワード：表面再構成、STM、空間点分析

SKモードでInAs量子ドットが核生成する要因として、基板表面における組成やひずみのゆらぎが考えられる。そのようなゆらぎの可視化形態の1つとして、基板成長面における表面再構成の島状連続領域（テリトリー）に着目している。本研究では、基板成長とともに表面再構成テリトリーの規則性がどのように形成されるのかを明らかにし、量子ドット規則性最適化に向けた表面エンジニアリングの可能性について検討を行った。