2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[14p-2W-1~10] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

2015年9月14日(月) 13:45 〜 16:30 2W (234-2(北側))

座長:矢口 裕之(埼玉大)

15:45 〜 16:00

[14p-2W-8] GaAsキャップ層成長温度によるInAs/GaAs量子ドットのサイズ二項分布変化

〇海津 利行1,2、田尻 祐介1、喜多 隆1 (1.神戸大院工、2.神戸大研究基盤セ)

キーワード：量子ドット、分子線エピタキシ、サイズ分布