[14p-4C-1~6] 越境する絶縁膜／半導体界面技術 ～ Si から Non-Si へ　～

[14p-4C-3] Ge-CMOSのためのGeO₂/Ge界面制御

〇鳥海 明¹ (1.東大院工)

キーワード：半導体、ゲルマニウム、移動度

高性能Ge CMOSの実現に向けて、GeのどこがSiと異なり、何に注意を払わなければならないかを界面制御という考え方を中心にして、特にn-チャネルMOSFETに焦点をあてながら議論したい。