15:45 〜 16:15
[14p-4C-5] SiCパワーデバイス高性能化に向けたMOS界面設計と絶縁膜開発
キーワード：半導体、ゲート絶縁膜、パワーデバイス
講演情報
シンポジウム(口頭講演)
シンポジウム » 越境する絶縁膜／半導体界面技術 ～ Si から Non-Si へ ～
[14p-4C-1~6] 越境する絶縁膜／半導体界面技術 ～ Si から Non-Si へ ～
2015年9月14日(月) 13:30 〜 16:45 4C (432)
座長:小山 正人(東芝),渡邉 孝信(早大)