[14p-PA13-1~21] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[14p-PA13-12] ゾル-ゲル法により作製したLiドープNiO薄膜の構造特性

〇藤田 利樹¹、熊生 陵吾¹、大前 洸斗¹ (1.釧路高専)

キーワード：酸化物半導体、ゾル-ゲル法、酸化ニッケル