[14p-PA13-1~21] 6.3 Oxide electronics

[14p-PA13-8] Growth and the transition properties of large crystalline domain VO₂ films on Al₂O₃ (001) substrate by biased sputtering

〇(D)BintiAzhan NurulHanis¹, Kunio Okimura¹, Mustapha Zaghrioui², Joe Sakai² (1.Tokai Univ., 2.GREMAN, Univ. Tours)

Keywords:vanadium dioxide,biased sputtering,phase transition properties

基板バイアス印加反応性スパッタによる相転移VO₂薄膜成長において特定の基板バイアス印加によって数mm以上の巨大ドメインが支配的な特異成長モードが発現した．本研究では巨大ドメインVO₂薄膜の成長メカニズムとその転移特性について調べた．成膜時間30 minでは数百nmに近い結晶粒が現れ始め，40 minでは巨大ドメインが支配的となった．Raman分析により巨大ドメイン領域はストレスが強くM2相を経て高温相へ相転移することが分かった．