[14p-PB12-1~23] 15.4 III-V族窒化物結晶

[14p-PB12-11] 高流速MOCVDを用いたn型AlGaN(Al>0.5)の高速成長

〇池永 和正¹、三嶋 晃¹、田渕 俊也¹、松本 功¹ (1.大陽日酸)

キーワード：有機金属気相成長法、n型AlGaN、高速成長

本発表では比較的高いV/IIIを維持しつつ、高速で成長したSiドープAlGaN(Al>0.5)のカーボン濃度と電気特性の結果を報告する。