[14p-PB6-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[14p-PB6-10] ローム製SiC MOSFETにおけるガンマ線照射試験結果

〇牧野 高紘¹、小野田 忍¹、三浦 峰生²、大島 武¹ (1.原子力機構、2.ローム株式会社)

キーワード：炭化ケイ素、耐放射線性

SiC半導体デバイスの耐放射線性研究のための一般的知見を得ることを目的とし，ローム株式会社から市販されているSiC MOSFETとSi MOSFETに対してガンマ線照射を行い，照射後の各種電気特性の変動から，それぞれの耐放射線性の違いについて示し，それらの考察を行う．