[15a-1A-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [15a-1A-3] SiC溶液成長界面のその場真空レーザー顕微鏡観察によるステップ前進速度解析

〇小沼 碧海¹、丸山 伸伍¹、三谷 武志²、加藤 智久²、奥村 元²、松本 祐司^1,3 (1.東北大院工、2.産総研、3.JST-ALCA)

キーワード：SiC、レーザー顕微鏡、溶液成長

溶液法によるSiC結晶成長機構や欠陥形成機構の解明に向けて、SiC溶液成長界面を真空レーザー顕微鏡を用いてその場観察する研究を行った。SiC種結晶とNi-Si系溶液界面のその場観察し、成長挙動の観察に成功した。また観察像を解析した結果、ステップの前進速度は10 nm/sオーダーであり、高温または推定ステップ高さが低いステップほど前進速度が大きいことが確認された。