[15a-1A-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[15a-1A-5] ソフトプラズマを用いた非晶質炭化珪素薄膜室温形成

塩田 耕平¹、田中 茉莉亜¹、廣岡 亜純¹、〇羽深 等¹ (1.横国大院工)

キーワード：室温プロセス、SiC薄膜、非晶質

前報では、アルゴン(Ar)プラズマによりアルミニウム表面を活性化した後にモノメチルシラン(SiH₃CH₃, MMS)ガスを供給することにより室温でSiCを含む膜を形成できることを報告した。本報では、膜厚とSiC割合を増大させると同時にフッ素混入を抑制するために、表面活性化後にプラズマ中にMMSガスを導入することを試みた。その詳細を報告する。