[15a-1A-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[15a-1A-7] ClF₃ガスによるSiCウエハのエッチング速度挙動

〇中込 健¹、矢島 大里¹、羽深 等¹、加藤 智久² (1.横国大院工、2.産総研)

キーワード：SiCウエハ、ClF3、エッチング

三フッ化塩素(ClF₃)ガスを用いることにより4H-SiCを高速でエッチング可能であり、それを活用して直径50mmのSiCウエハをエッチングできる装置が報告されている。エッチング速度分布が供給するガス濃度に応じて変化するため、本研究では、反応装置内部の仕切り板とガス流れを検討したのでその詳細を報告する。