2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.1 強誘電体薄膜

[15a-2L-1~12] 6.1 強誘電体薄膜

2015年9月15日(火) 09:00 〜 12:15 2L (2Fラウンジ2)

座長:山田 智明(名大)

11:30 〜 11:45

[15a-2L-10] 遷移金属元素をドープした単一ドメインBiFeO3薄膜の異常光起電力効果

〇(M1)高山 幸太1、中嶋 誠二1、藤沢 浩訓1、清水 勝1 (1.兵庫県大工)

キーワード:異常光起電力効果、強誘電体、ビスマスフェライト

BiFeO3薄膜に遷移金属元素をドープすることによって、異常光起電力効果によって発生する開放端電圧VOCと短絡電流ISCがどのように変化するかを調べた。実験方法は、単一ドメインのBiFeO3薄膜にコプレーナ電極を設け、電極間に青紫色レーザーダイオードの光を当てたときに発生するVOCISCの評価をI-V測定によって行った。得られた結果とドープを行わなかったサンプルとの違いを報告する。