[15a-2L-1~12] 6.1 強誘電体薄膜

[15a-2L-3] RFマグネトロンスパッタリング法による{110}高配向Ba(Ce,Y)O₃ぺロブスカイト薄膜の作製

佐藤 智也¹、一ノ瀬 大地²、舟窪 浩²、〇内山 潔¹ (1.NIT鶴岡高専、2.東工大総理工)

キーワード：ぺロブスカイト薄膜、{110}配向、シード層

RFマグネトロンスパッタ法を用いて、高度に{110}配向したBa(Ce,Y)O₃ぺロブスカイト薄膜をバッファ層なしで(111)Pt/SiO₂/Si（以下、Pt/Si）基板上に直接形成することに成功した。これにより、安価で汎用性の高いPt/Si基板上に{110}配向したぺロブスカイト薄膜を直接形成することが可能となり、強誘電体特性の面方位依存性を利用した材料設計が広く可能となると考えられる。