[15a-2S-1~11] 16.3 シリコン系太陽電池

[15a-2S-10] 超高次走査型非線形誘電率顕微鏡による単結晶Si太陽電池の光照射によるキャリア分布変化の測定

〇廣瀬 光太郎¹、茅根 慎通¹、長 康雄¹ (1.東北大通研)

キーワード：半導体、キャリア分布、光起電力

超高次非線形誘電率顕微鏡(SHO-SNDM)を用いて，結晶Si太陽電池のpn接合部の局所C-V特性を測定した．暗所での測定においてC-Vカーブの形状からp型，n型，空乏層を判別した．開放状態の試料の暗所及び光照射時の測定結果を比較することで，光照射時にn領域付近のp領域において電子の濃度が増加していることを示唆する結果が得られた．