2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

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[15a-4C-1~13] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

2015年9月15日(火) 09:00 〜 12:30 4C (432)

座長:牧山 剛三(富士通研)

09:30 〜 09:45

[15a-4C-3] Mg3N2を挿入したTiNゲートGaNショットキーダイオード特性評価

〇池内 勇太1、若林 整1、筒井 一生1、岩井 洋1、角嶋 邦之1 (1.東工大総理工)

キーワード：半導体、GaN