[15a-4C-1~13] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[15a-4C-4] 電圧ストレス印加により劣化したn-GaNショットキー電極の2次元評価

〇村瀬 真悟¹、太田 博²、三島 友義²、塩島 謙次¹ (1.福井大院工、2.法政大)

キーワード：n-GaN、界面顕微光応答法