[15a-PB1-1~16] 9.2 ナノワイヤ・ナノ粒子

[15a-PB1-1] VLS成長法によるWurtzite構造GaPナノワイヤ

〇舘野 功太^1,2、章 国強^1,2、熊倉 一英² (1.NTT-NPC、2.NTT物性研)

キーワード：ナノワイヤ、GaP、結晶成長

GaPはZincblende構造が安定相で間接遷移型であるが、Wurtzite構造では直接遷移型となることが知られている。今回はWurtzite構造のGaPナノワイヤ光デバイスを目指し、TBClを用いたGaPナノワイヤ成長の実験を行ったので報告する。GaP成長時においてTBClの供給を1分間ごとにOn-Offする操作を15回繰り返した。TBCl On時は成長速度が速く、また、積層欠陥が多く入っているが、TBCl Off時は積層欠陥のないWurtzite構造となることが分かった。