[15p-1B-1~18] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

△ [15p-1B-1] 金属/β-Ga₂O₃ (-201) 界面における強いフェルミ準位ピンニング効果

〇若林 諒¹、大島 孝仁¹、服部 真依¹、佐々木 公平²、増井 建和²、倉又 朗人²、山腰 茂伸²、吉松 公平¹、大友 明^1,3 (1.東工大院理工、2.タムラ製作所、3.元素戦略)

キーワード：酸化ガリウム、ショットキー接触

金属/半導体界面におけるフェルミ準位ピンニング効果は古くから知られている．β-Ga₂O₃においては金属/β-Ga₂O₃ショットキー接合のダイオード特性や光検出器の動作が報告されているが，この効果に関する詳細な議論は行われていない．今回我々は金属/β-Ga₂O₃界面において，電流-電圧特性からショットキー障壁高さを算出したところ，表面処理にほとんど影響されない強いピンニング効果を観測した．