[15p-1B-1~18] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

△ [15p-1B-13] CドープIn-Si-O TFTのNBTI及びPBTI特性の改善

〇(M2)栗島 一徳^1,2、生田目 俊秀²、三苫 伸彦²、木津 たきお²、塚越 一仁²、澤田 朋実²、大井 暁彦²、山本 逸平^3,2、大石 知司³、知京 豊裕²、小椋 厚志¹ (1.明治大、2.物材機構、3.芝浦工大)

キーワード：CドープIn-Si-O TFT、NBTI、PBTI