[15p-1C-1~18] 13.5 デバイス／集積化技術

[15p-1C-10] ジャンクションレスナノワイヤFETにおける移動度

〇植田 暁子¹、Mathieu Luisier²、佐野 伸行¹ (1.筑波大電物、2.チューリッヒ工科大)

キーワード：シリコンナノワイヤ、ジャンクションレストランジスタ、NEGF法

n 型のシリコンナノワイヤで構成されたジャンクションレストランジスタ(JLT) において, 不純物散乱とフォノン散乱の移動度への影響を調べた. 電気伝導特性と移動度の計算には, sp³d⁵s* タイトバインディングを用いた非平衡グリーン関数(NEGF) 法を適用した。不純物は均等に並んでいるとする。ゲート電圧の印加によってチャネル中の伝導電子の濃度が高くなるにつれて, 移動度が増大する。また、電流がドーピング濃度が非常に高いは、ドーピング濃度が高いほど、 移動度が高くなることを明らかにした。