[15p-1C-1~18] 13.5 デバイス／集積化技術

[15p-1C-12] Poly-Ge TFTへの原子状水素アニールの効果

〇部家 彰¹、平野 翔大¹、松尾 直人¹ (1.兵庫県立大工)

キーワード：多結晶ゲルマニウム、薄膜トランジスタ、原子状水素アニール

多結晶Ge（poly-Ge）膜を活性層、Si熱酸化膜をゲート絶縁膜としてpoly-Ge TFTを作製し、原子状水素アニール（AHA）による特性改善について検討した。AHA処理時間が増加するとV_g依存性がわずかに見られるようになり、Ge膜およびGe/SiO₂界面付近のキャリア生成欠陥がAHAにより水素終端され、V_g印加による空乏化がわずかながら支配的になったと考えられる。