[15p-1C-1~18] 13.5 デバイス／集積化技術

[15p-1C-16] VO₂チャネルトランジスタのチャネル膜厚に依存したゲート変調

〇矢嶋 赳彬^1,2、西村 知紀^1,2、鳥海 明^1,2 (1.東京大学、2.JST-CREST)

キーワード：モットトランジスタ、酸化バナジウム

近年我々は高誘電率のTiO₂をゲート絶縁体に用いることで、初めて固体ゲート絶縁膜によってVO₂チャネルトランジスタを動作させることに成功した。本研究ではこの固体ゲートのVO₂チャネルトランジスタにおいて、ゲート変調量がチャネル膜厚に強く依存するという金属絶縁体転移デバイスならではの結果を得たので報告する。