[15p-2N-1~17] 12.2 評価・基礎物性

[15p-2N-13] バイアス印加HAXPES測定による有機トランジスタ動作中の有機半導体層内部の電位分布観察

〇渡辺 剛¹、多田 圭佑²、安野 聡¹、吉本 則之²、広沢 一郎¹ (1.高輝度光科学研究セ、2.岩手大工)

キーワード：有機半導体、硬X線光電子分光

硬X線光電子分光法を用いて有機トランジスタ駆動中における有機半導体薄膜内の電位分布を観察した。この結果、ゲート電圧の印加によってPEN薄膜内に電荷が注入・蓄積されたことで電位分布が変化したことを反映してC1sスペクトルの線幅が増大していた。