[15p-2U-2~11] 17.1 Growth technology

△ [15p-2U-9] First-principles calculations of the orientation of MoS₂ on Al₂O₃(0001) substrate

〇Hideyuki Jippo¹, Kenjiro Hayashi¹, Shintaro Sato¹, Mari Ohfuchi¹ (1.Fujitsu Labs. Ltd.)

Keywords:Transition Metal DiChalcogenide,First-principles calculations

α-Al₂O₃(0001)基板上の単層MoS₂について第一原理計算を行った。最もエネルギーの低い構造(a)とMoS₂を60°回転した構造(b)のエネルギー差はユニットセルあたり6meVであることが分かった。今回の結果によりサファイアc面上で2つの向きのMoS₂正三角形島が同程度CVD成長する現象を説明できる可能性がある。