[15p-3A-1~7] 新規スピントロニクス現象と応用の可能性

[15p-3A-6] シリコンベース・スピントロニクスデバイスの将来展望

〇安藤 裕一郎¹、小池 勇人²、佐々木 智生²、鈴木 義茂³、白石 誠司¹ (1.京大院工、2.TDK、3.阪大院基礎工)

キーワード：シリコン、スピントロニクス、半導体スピントロニクス

微細化に依らない大規模集積回路（LSI）の高性能化を目指し，スピン偏極電流や純スピン流を情報輸送・演算に利用する“半導体スピントロニクスデバイス”の研究が精力的に進められている．中でもSiは軽元素であり，結晶の空間反転対称性が高く，核スピンを有する²⁹Siが天然存在比で比較的少ないという点から，高いスピンコヒーレンスが期待されている．既存のLSIはSiをベースとしていることを鑑みても，Siベースのスピントロニクスデバイスは工学的需要が極めて高いデバイスと言える．本講演では我々のグループの最近の研究成果を中心にSiベーススピントロニクスの現状と課題について報告する．