[15p-4A-1~17] 11.2 薄膜，厚膜，テープ作製プロセスおよび結晶成長

[15p-4A-16] フッ化カルシウム基板上のFeSe_1-xTe_x膜の圧縮歪

〇一瀬 中¹、塚田 一郎¹、鍋島 冬樹²、今井 良宗²、前田 京剛² (1.電中研、2.東大院総合)

キーワード：鉄系11超電導体、微細構造、CaF2

CaF₂基板上に作製したFeSe_1-xTe_x膜の臨界温度は、バルク試料の臨界温度よりも高くなる。これは、超電導薄膜の格子長の変化によって説明することができる。つまり、超電導薄膜のa軸長はバルク試料よりも短くなり，一方，c軸長は伸びることがわかっている。しかし、CaF₂基板上の超電導膜のa軸長の変化は、単純なエピタキシャル歪では説明することができない。そこで、透過型電子顕微鏡を用いて超電導薄膜と基板との界面付近を調べた。