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[15p-4C-14] InAlN/AlGaN HFETのパワーデバイスとしての性能予測
キーワード:窒化物半導体、HFET
AlGaNチャネルを有する窒化物系2DEGヘテロ構造は、GaNチャネル構造に比べ高い阻止耐圧を示すことから、将来のパワーデバイス応用が期待できる。我々は、InAlNバリア層を備えたInAlN/AlGaNヘテロ構造について報告をしてきた。今回、InAlN/AlGaN HFETを試作、その評価結果に基づき、理想設計におけるHFETの面積オン抵抗(Ron*A)算出を試みたので報告する。