[15p-4C-1~14] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[15p-4C-5] キャップ/供給層界面制御によるAlGaN/GaN HEMT のゲートリーク電流低減効果

〇山田 敦史¹、小谷 淳二¹、石黒 哲郎¹、苫米地 秀一¹、中村 哲一¹、渡部 慶二¹ (1.富士通研)

キーワード：窒化ガリウム、有機金属化学気相成長、高電子移動度トランジスタ