[15p-4F-1~25] 6.2 カーボン系薄膜

[15p-4F-10] ダイヤモンド半導体を用いた低電圧印加による真空への電子放出

〇(PC)工藤 唯義^1,2、竹内 大輔^1,2、加藤 宙光^1,2、牧野 俊晴^1,2、小倉 政彦^1,2、大串 秀世^1,2、山崎 聡^1,2,3 (1.産総研、2.CREST(JST)、3.筑波大)

キーワード：ダイヤモンド、電子放出

我々は、Ibダイヤモンドとリン添加n型ダイヤモンドを用いて、狭間隔共平面電極構造からの電子放出を報告した。その際、自由電子濃度の低いIbダイヤモンドの方が、リン添加n型ダイヤモンドよりも多くの放出電流を得た。そこで、p型IIbダイヤモンド、IIaダイヤモンドを用いたところ、どちらにおいても真空への電子放出が確認された。本発表では、不純物の種類が違うダイヤモンドでの結果を比較し、電子放出機構について議論する。