[15p-PA4-1~5] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[15p-PA4-1] パワー半導体冷却用Siペルチェ素子の開発

〇古林 寛¹、種平 貴文²、米盛 敬²、瀬尾 宣英²、黒木 伸一郎¹ (1.広島大ナノデバイス、2.マツダ(株)技術研)

キーワード：シリコン、ペルチェ素子、パワー素子

ペルチェ素子は冷却機能を有する素子であるが、パワー素子の冷却のためには、高いゼーベック係数と同時に高い熱伝導率が必要である。我々は候補材料として、プロセス技術が確立しているSiを選んだ。単結晶Siをペルチェブロックとして連結させたところ、熱移動が電流の大きさ、向きに依存することから、ペルチェ素子としての性能を有することを確認した。現在、パワー素子への三次元組み込みを検討している。