[16a-1C-1~11] 13.5 デバイス／集積化技術

△ [16a-1C-6] GaAsSb/InGaAsヘテロ接合を用いたダブルゲートトンネルFETにおける
界面準位の導入による性能の劣化

〇岩田 真次郎¹、大橋 一水¹、祢津 誠晃¹、福田 浩一²、宮本 恭幸¹ (1.東工大院理工、2.産総研)

キーワード：トンネルFET、InGaAs、Dit